Тороид. Производство электротехнической продукции
(49831) 4-66-21
(925) 790-73-23
toroid2011@mail.ru

Главная Продукция и услуги Статьи Полезная информация Сертификаты Награды Отзывы Контакты

Продукция и услуги

Завражнов Ю. В.
Мощные высокочастотные транзисторы

Москва
«Радио и связь»
1985

Рассматриваются особенности работы мощных высокочастотных транзисторов в линейном режиме. Излагаются вопросы конструирования, технологии транзисторов и методы измерения их параметров. Приводятся области применения таких транзисторов. Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и применением мощных высокочастотных транзисторов.

Ю. В. Завражнов, И. И. Каганова, Е. 3. Мазель, А. И. Миркин. Мощные высокочастотные транзисторы Под ред. Е. 3. Мазеля. — Москва, издательство Радио и связь, 1985.— 176 с.

Рецензенты доктор техн. наук Я. А. ФЕДОТОВ и инженеры И. Э. МАЧ, А. П. ГЕРАСИМЕНКО
Редакция литературы по электронной технике

Издательство «Радио и связь», 1985

Содержание книги
Мощные высокочастотные транзисторы

Предисловие

Глава первая. Особенности структуры мощных ВЧ транзисторов
1.1. Параметры
1.2. Электрофизические характеристики различных областей транзисторной структуры
1.3. Выбор размеров и формы различных областей транзисторной структуры. Типы структур

Глава вторая. Особенности технологии и конструкции мощных ВЧ транзисторов
2.1. Особенности технологии изготовления кристаллов
2.2. Требования к корпусам и особенности конструкции
2.3. Особенности сборки

Глава третья. Параметры мощных ВЧ транзисторов и методы их измерения
3.1. Система электрических параметров
3.2. Методы измерения статических параметров и ВЧ параметров малого сигнала
3.3. Метод измерения Pвых
3.4. Метод измерения Кур и nk
3.5. Метод измерения М3 и М5
3.6. Особенности измерения энергетических параметров линейных транзисторов
3.7. Согласующие устройства
3.8. Методика измерения Zвх
3.9. Особенности аппаратуры для измерения энергетических параметров
3.10. Погрешности измерения энергетических параметров

Глава четвертая. Надежность мощных ВЧ транзисторов
4.1. Основные виды и причины отказов
4.2. Конструктивные пути обеспечения надежности
4.3. Технологические пути обеспечения надежности
4.4. Устойчивость транзисторов к рассогласованию нагрузки

Глава пятая. Некоторые вопросы применения мощных ВЧ транзисторов
5.1. Общие сведения об устройствах на мощных ВЧ транзисторах
5.2. Высокочастотные усилители мощности
5.3. Усилители на основе мощных автогенераторов
5.4. Автоматика и управление в усилителях мощности
5.5. Конструкция усилителей мощности

Список литературы

Предисловие

В современной электронике все большую роль играет микроэлектроника, но достаточно большое значение продолжает сохранять полупроводниковая техника, связанная с производством и применением дискретных приборов. Особое положение среди дискретных приборов занимают мощные полупроводниковые приборы и, в частности, мощные транзисторы. Они широко используются в различных электронных системах в качестве элементов управления, регулирования и стабилизации, в устройствах плавного пуска.

Мощные полупроводниковые приборы - тиристоры и транзисторы - выступают в роли связующих элементов между электронной системой и исполнительными узлами и механизмами. Управление механическими и электромеханическими узлами (реле, электродвигателями и т. п.) — это только одно из возможных направлений использования мощных транзисторов. Кроме того, они находят применение в многочисленных преобразовательных и усилительных устройствах, в телевизионной технике (в устройствах развертки и источниках питания), в системах зажигания двигателей внутреннего сгорания, в импульсной аппаратуре и др.

Один из наиболее распространенных классов мощных транзисторов — это мощные высокочастотные (ВЧ) приборы. По своим частотным свойствам транзисторы делятся на низкочастотные (с граничной частотой коэффициента передачи тока до 3 МГц), высокочастотные (с граничной частотой до 300 МГц) и сверхвысокочастотные (с граничной частотой свыше 300 МГц). Мощными транзисторами принято считать приборы, у которых допустимая мощность рассеяния превышает 1 Вт. При этом иногда транзисторы с мощностью рассеяния от 1 до 10 Вт называют транзисторами средней мощности, а с более высокой мощностью рассеяния — транзисторами большой мощности.

Основная область применения мощных ВЧ транзисторов — связная аппаратура. В этой аппаратуре мощные тразисторы являются основными элементами выходных усилительных каскадов. Их задачей является управление последующими, более мощными каскадами или создание мощного выходного сигнала, подаваемого непосредственно в антенное устройство.

Практически все мощные ВЧ транзисторы в настоящее время изготавливаются из кремния. Абсолютное большинство типов серийных мощных кремниевых ВЧ транзисторов — это биполярные приборы, хотя в последние годы начали создавать и кремниевые мощные полевые ВЧ транзисторы [80]. Полевые ВЧ транзисторы обладают рядом существенных преимуществ по рравнению с биполярными приборами, и одно время считалось, что биполярные должны будут полностью уступить свое место полевым транзисторам. Однако по мере того, как появлялись все новые типы мощных биполярных и полевых ВЧ кремниевых транзисторов, обнаружилось, что по сравнению с биполярными ВЧ транзисторами полевые приборы обладают не только достоинствами, но и недостатками. Это дает возможность считать, что в дальнейшем будут развиваться оба направления.

Биполярные транзисторы могут иметь как n-p-n, так и p-n-p структуру, однако свойства исходных полупроводниковых материалов и особенности технологии изготовления заставляют отдать предпочтение транзисторам с n-p-n структурой. Поэтому современные биполярные мощные ВЧ кремниевые транзисторы — это практически всегда n-p-n приборы.

В книге рассмотрены параметры, особенности транзисторных структур и методы изготовления биполярных кремниевых n-p-n мощных ВЧ транзисторов. Особое внимание уделено вопросам, связанным с их надежностью. Это вызвано двумя обстоятельствами. Во-первых, создание приборов рассматриваемого класса стало возможным только благодаря жесткой оптимизации транзисторной структуры и конструкции транзистора по ряду параметров. В связи с этим заложить в эти приборы значительный запас относительно предельных режимов эксплуатации почти никогда не удается. Во-вторых, условия эксплуатации приборов данного класса являются достаточно тяжелыми. Так, например, в реальных, устройствах очень велика вероятность кратковременного, но весьма значительного рассогласования нагрузки влекущего за собой превышение допустимых значений токов или напряжений или того и другого одновременно. Все это делает понятным ту важную роль, которую играют для мощных ВЧ транзисторов вопросы, связанные с их надежностью.

В связи с близостью характеристик двух классов приборов: мощных ВЧ и СВЧ транзисторов - вопросы рассматриваемые в книге, иногда относятся не толька к ВЧ, но и к СВЧ приборам. Однако при разработке» конструировании и применении мощных СВЧ транзисторов возникает ряд специфических проблем, которые в данной книге не рассматриваются.

Мы надеемся, что данная книга представит интерес как для разработчиков транзисторов, так и для специалистов, применяющих их в РЭА. Главы 1, 2 и 4 написаны Е. 3. Мазелем, гл. 3 — И. И. Кагановой и А. И. Миркиным, гл. 5 — Ю. В. Завражнозым. Общее редактирование книги осуществил Е. 3. Мазель. Авторы выражают благодарность профессору доктору техн. наук Я. А. Федотову, взявшему на себя труд по рецензированию книги и сделавшему ряд ценных замечаний.

Авторы

Скачать книгу "Мощные высокочастотные транзисторы". Москва, Издательство "Радио и связь", 1985

143502 МО, г.Истра-2, ул. Заводская, 43А. Тел. (49631) 4-66-21. E-mail: toroid2011@mail.ru