Уотсон Г. СВЧ полупроводниковые приборы и их применение
Под редакцией Г. УОТСОНА
MICROWAVE SEMICONDUCTOR DEVICES AND THEIR CIRCUIT APPLICATIONS
Edited by H. A. WATSON
Bell Telephone Laboratories, Incorporated Holmdel, New Jersey
McGRAW-HILL BOOK COMPANY NEW YORK
1969
Перевод с английского
Под редакцией д-ра физ.-мат. наук, проф. В. С. ЭТКИНА
ИЗДАТЕЛЬСТВО «МИР»
МОСКВА
1972
В последние годы полупроводниковые приборы находят все большее применение в вычислительных устройствах, радиолокационных системах и системах космической связи. В книге описаны главные физические процессы и проанализированы основные принципы конструирования на примерах конкретных схем. Особую ценность представляет рассмотрение связи предельных параметров устройств с параметрами применяемого материала. Содержание книги охватывает все основные исследования современной полупроводниковой электроники СВЧ.
Книга написана с большим педагогическим мастерством и представляет несомненный интерес как для разработчиков полупроводниковых СВЧ-приборов и конструкторов СВЧ-уст-ройств и систем, так и для молодых специалистов, только приступающих к освоению техники СВЧ.
Содержание книги СВЧ полупроводниковые приборы и их применение
Предисловие редактора русского издания
Предисловие редактора американского издания
Обозначения
ЧАСТЬ 1. ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. Основные принципы разработки СВЧ-устройств
ЧАСТЬ 2. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Глава 2. Волновое уравнение Шредингера и электронная структура
Глава 3. Полупроводниковые кристаллы
Глава 4. Электропроводность полупроводников
Глава 5. Теория р-n - перехода
Глава 6. Поверхность полупроводника и омические контакты
ЧАСТЬ 3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ И СХЕМЫ
Глава 7. Варакторные диоды
Глава 8. Применение варакторов
Глава 9. р-i-n-Диоды
Глава 10. СВЧ-переключатели, ограничители, фазовращатели
Глава 11. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки
Глава 12. Детекторные и смесительные диоды и их применение
Глава 13. Туннельные диоды
Глава 14. Цепи с туннельными диодами
Глава 15. Лавинно-пролетные СВЧ-диоды
Глава 16. Объемные приборы на арсениде галлия
ЧАСТЬ 4. СВЧ-ТРАНЗИСТОРЫ И ЦЕПИ
Глава 17. СВЧ-транзисторы
Глава 18. Транзисторный усилитель на 4 Ггц
ЧАСТЬ 5. ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ СОВРЕМЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВЧ-ПРИБОРОВ
Глава 19. Тенденции современных полупроводниковых развития СВЧ-приборов
Приложение А
Приложение Б
Приложение В
ПРЕДИСЛОВИЕ РЕДАКТОРА РУССКОГО ИЗДАНИЯ
Предлагаемая вниманию читателей книга посвящена изложению основ техники полупроводниковых приборов СВЧ и устройств на них: усилителей и преобразователей частоты, генераторов и детекторов, модуляторов и переключателей. Полупроводниковые устройства СВЧ на сегодня существенным образом определяют эффективность техники СВЧ и на их использовании основан прогресс в области миниатюризации, улучшения надежности устройств СВЧ, повышения к. п. д. генераторов СВЧ, повышения чувствительности и широкополосности приемных устройств, создания экономичных переключателей и фазовращателей, проникновения в область все более коротких волн.
Достоинством книги ведущих специалистов США является ее энциклопедический характер. В ней дается обзор всех основных полупроводниковых приборов и устройств СВЧ. Написанная с большим педагогическим мастерством, она позволяет составить достаточно серьезное научное представление о физических принципах работы приборов и устройств и основах их расчета.
Однако за прошедшие два года с момента выхода книги достигнуты определенные успехи в области изучения физических явлений в приборах СВЧ, улучшения качества и создания новых приборов. С другой стороны, ряд вопросов применения приборов и устройств освещен в книге однобоко. В частности, на наш взгляд, неоправдано то, что в заключительной части книги указывается на предстоящее полное вытеснение усилителей на туннельных диодах (УТД) смесителями СВЧ на диодах с барьером Шоттки в силу обеспечиваемой ими лучшей чувствительности. Действительно, смесители на диодах с барьером Шоттки по чувствительности превосходят УТД, однако от устройств СВЧ требуется часто не только обеспечение чувствительности, но и решение ряда функциональных задач. Так, в активных фазированных антенных решетках находят широкое применение усилители на туннельных диодах, устанавливаемые до фазирования на СВЧ.
В этом случае усилители компенсируют потери сигнала в фазирующих устройствах, в том числе в фазовращателях. Активные фазированные антенные решетки находят, несмотря на все трудности реализации, все более широкое применение [1—3].
Скачать книгу "СВЧ полупроводниковые приборы и их применение". Москва. Издательство Мир, 1972
|