Тороид. Производство электротехнической продукции
(49831) 4-66-21
(925) 790-73-23
toroid2011@mail.ru

Главная Продукция и услуги Статьи Полезная информация Сертификаты Награды Отзывы Контакты

Продукция и услуги

Руденко В. М.
Малошумящие входные цепи СВЧ приемных устройств

ИЗДАТЕЛЬСТВО «СВЯЗЬ»
Москва
1971

Руденко В. М., Халяпин Д. Б., Магнушевскии В. Р. Малошумящие входные цепи свч приемных устройств. Москва, «Связь», 1971. 280 с. с .илл., табл., библ.

В книге приведен анализ различных типов малошумящих широкополосных свч усилителей, в том числе и интегрального типа (ТУВЧ, УТД, ППУ и др.). Рассмотрены технологические основы создания свч интегральных схем, проведен расчет передающих линий и различных свч устройств интегрального типа.

Наиболее полно освещены вопросы, связанные с конструированием и расчетом ППУ. Большое внимание уделено методам синтеза корректирующих цепей, методам машинного расчета ППУ и оптимизации их частотных характеристикю

Книга рассчитана на широкий круг специалистов, занимающихся проектированием, расчетом и конструированием малошумящих входных цепей свч диапазона.

Содержание книги
Малошумящие входные цепи СВЧ приемных устройств

Предисловие

Глава 1. Современное состояние и перспективы развития входных цепей СВЧ приемных устройств
§ 1.1. Общие требования к входным цепям широкополосных приемных устройств
§ 1.2. Характеристика различных типов малошумящих свч входных цепей
§ 1.3. Сравнительный анализ малошумящих свч входных цепей и тенденции их развития
Литература

Глава 2. Входные цепи широкополосных приемных устройств интегрального типа
§ 2.1. Общие сведения об интегральных схемах свч входных цепей
§ 2.2. Характеристика материалов интегральных схем и основные требования к ним
§ 2.3. Технологические методы создания интегральных СВЧ схем
§ 2.4. Микрополосковые линии СВЧ интегральных схем
§ 2.5. Расчет параметров микрополосковых схем
§ 2.6. Резонансные цепи СВЧ интегральных схем с повышенной селективностью
§ 2.7. Некоторые принципы построения интегральных схем входных цепей
Литература

Глава 3. Интегральные транзисторные усилители
§ 3.1. Параметры малошумящих свч транзисторов и их конструктивные особенности
§ 3.2. Расчет коэффициентов усиления и стабильности транзисторных усилителей
§ 3.3. Расчет согласующих цепей широкополосных транзисторных усилителей
$ 3.4. Однокаскадные и многокаскадные интегральные транзисторные усилители
§ 3.5. Балансные широкополосные транзисторные усилители
Литература

Глава 4. Широкополосные усилители на туннельных диодах
§ 4.1. Введение
§ 4.2. Общие сведения о туннельных диодах
§ 4.3. Устойчивость усилителей на туннельных диодах
§ 4.4. Основные соотношения для схем усилителей на туннельных диодах
§ 4.5. Конструкции усилителей
Литература

Глава 5. Широкополосные регенеративные полупроводниковые параметрические усилители с одним нелинейным элементом
§ 5.1. Общие сведения о методах расширения полосы пропускания параметрических усилителей
§ 5.2. Характеристика методов исследования параметрических усилителей
§ 5.3. Максимальная широкополосность однодиодных параметрических усилителей и преобразователей
§ 5.4. Параметрические усилители с корректированным сигнальным и узкополосным холостым контурами
§ 5.5. Некоторые вопросы синтеза широкополосных параметрических усилителей
Литература

Глава 6. Основные принципы проектирования широкополосных параметрических усилителей
§ 6.1. Общие требования к проектированию широкополосных параметрических усилителей
§ 6.2. Расчет согласующих и корректирующих устройств
§ 6.3. Конструктивный расчет широкополосных параметрических усилителей
§ 6.4. Влияние расширения полосы пропускания па шумовые свойства параметрических усилителей
§ 6.5. Волноводно-коаксиальные конструкции широкополосных параметрических усилителей
Литература

Глава 7. Машинная оптимизация амплитудно-частотных характеристик регенеративных усилителей
$ 7.1. Постановка задачи
§ 7.2. Математическая формулировка задачи
§ 7.3. Параметрические усилители с одним корректирующим контуром в сигнальной цепи
§ 7.4. Мягкая устойчивость параметрических усилителей с коррекцией в сигнальной цепи
§ 7.5. Результаты оптимизации АЧХ параметрических усилителей при помощи ЭВМ
Литература

Глава 8. Синтез многофункционального согласующего четырехполюсника
§ 8.1. Постановка задачи
§ 8.2. Идеализированная схема согласующего четырехполюсника
§ 8.3. Метод анализа
§ 8.4. Волновая матрица ступенчатой структуры
§ 8.5. Синтез ступенчатой структуры в LC-приближении
§ 8.6. Синтез ступенчатой структуры в приближении теории длинных линии
§ 8.7. Синтез ступенчатой структуры при помощи ЭВМ
§ 8.8. Влияние сдвига референсных плоскостей при каскадном соединении двух четырехполюсников
Литература

Глава 9. Холодные измерения колебательных систем параметрических усилителей
§ 9.1. Введение
§ 9.2. Связь холодных и горячих параметров усилителей
§ 9.3. Холодные измерения сигнальной цепи с одиозвенной коррекцией
§ 9.4. Холодные измерения холостого контура
Литература

Глава 10. Широкодиапазонные параметрические усилители и преобразователи, перестраиваемые по частоте
§ 10.1. Введение
§ 10.2. Способы перестройки по частоте параметрических усилителей и преобразователей
§ 10.3. Параметрические усилители и преобразователи с синхронной перестройкой частот сигнального и холостого контуров
§ 10.4. Параметрические усилители с ферромагнитной перестройкой по частоте
§ 10.5. Электронноперестраиваемые параметрические усилители с совмещенным трактом накачки и преобразованного сигнала
§ 10.6. Шумовые характеристики электронноперестраиваемых регенеративных параметрических усилителей
Литература

Глава 11. Широкополосные интегральные полупроводниковые параметрические усилители
§ 11.1. Введение
§ 11.2. Общие принципы разработки широкополосных интегральных параметрических усилителей
§ 11.3. Твердотельные генераторы накачки
§ 11.4. Микроминиатюрные ферритовые свч циркуляторы
§ 11.5. Интегральные параметрические усилители с линейной фазо-частотной и максимально плоской амплитудно-частотной характеристиками
§ 11.6. Конструкции интегральных широкополосных параметрических усилителей
§ 11.7. Модульная конструкция широкополосного параметрического усилителя
Литература

Предисловие

Появление полупроводниковых приборов открыло качественно новый этап в развитии радиотехники. Полупроводниковые элементы, обладая ничтожными размерами активной части и высокой надежностью, позволяют совместно с тонкопленочными свч схемами создать многофункциональные устройства с большим количеством элементов — интегральные схемы различных типов. Полупроводники, работавшие ранее только на сравнительно низких частотах и малых уровнях мощности, стали достаточно широко применяться и в диапазоне сверхвысоких частот как на малых уровнях (приемные устройства), так и на средних уровнях мощности (порядка нескольких ватт).

Все более широкое применение техники интегральных схем предъявляет к радиоинженеру-разработчику новые требования:
- в обычном исполнении каждый отдельный прибор много функционального устройства создавался узкими специалистами. Например, классический связной приемник содержит усилитель высокой частоты, свч фильтр, гетеродин, смеситель, усилитель промежуточной частоты, второй детектор, видеоусилитель, систему АПЧ и т. п. До появления техники интегральных схем каждый из перечисленных узлов создавался отдельно и сопрягался с другими устройствами. При этом разработчики узлов -приемника могли даже не знать особенностей работы отдельных устройств. При использовании техники интегральных схем значительная часть приемника собирается на одной плате, что требует хорошего знания всего устройства в целом;

- роль конструкции и технологии в технике свч всегда была значительной, но с появлением интегральных устройств она еще более возросла. Поэтому радиоинженер должен быть не только хорошим специалистом в своей области, но должен также знать конструирование, технологию и возможности производственной базы;

- поскольку экспериментальная отработка элементов интегральной схемы затруднена, а подстройка и дополнительная регулировка часто практически невозможны, каждый элемент интегральной схемы должен тщательно рассчитываться. При разбросе параметров полупроводниковых приборов и схемных элементов необходим машинный анализ разброса параметров всей схемы.

Поэтому инженер-разработчик должен знать возможности ЭВМ и должен уметь поставить задачу «программисту.

Предлагаемая читателям книга коллектива авторов является фактически первой отечественной книгой по малошумящим входным цепям приемных устройств свч диапазона в обычном и интегральном исполнении. Наибольшее внимание ,в книге уделено вопросам, сравнительно слабо освещенным в научно-технической литературе широкого пользования и касающимся:
- современного состояния и анализа перспектив развития малошумящих свч входных цепей;
- современных технологических процессов, применяемых при разработке и создании интегральных свч схем;
- методов расчета линий передачи и других свч устройств интегрального типа;
- анализа, расчета и принципов конструирования различных типов малошумящих свч усилителей;
- вопросов синтеза и реализации максимальной широкополосности параметрических усилителей;
- применения ЭВМ при разработке широкополосных параметрических усилителей;
- холодных измерений свч цепей с диодом.

До недавнего времени считалось, что интегральные схемы (ИС) в монолитном исполнении вытеснят обычные схемы. Однако применительно к свч диапазону это неверно. Низкочастотные схемы обычно имеют обратные связи, обеспечивающие при большом разбросе параметров активных элементов необходимое постоянство параметров схемы. Поэтому процент брака при производстве низкочастотных ИС относительно невелик. Но при наличии обратных связей возможности активного элемента используются не полностью.

В СВЧ диапазоне предельные возможности полупроводникового активного элемента используются полностью, поэтому необходима настройка каждого активного элемента и отбраковка негодных элементов. В свч диапазоне более перспективны гибридные схемы.

Главы, посвященные ИС, полностью отражают господствовавшее в литературе мнение, я не считал себя вправе их менять и думаю, что читатель сможет сам сравнить оба пути.

Значительная часть вопросов, освещенных в книге, может представлять интерес для лиц, занимающихся разработкой свч устройств среднего уровня мощности. Книгу можно рекомендовать также для аспирантов и студентов старших курсов радиотехнических вузов.

Главы 1 и 3 написаны Руденко В. М. и Ляшенко А. Г., главы 2, 5, 6, 10, 11 — Руденко В. М., глава 4 — Халяпиным Д. Б., главы 7, 8, 9 и § 11.5 — Магнушевским В. Р. и Соловьем Л. Г.

Доктор физ.-мат. наук М. Е. Герценштейн

Скачать книгу "Малошумящие входные цепи СВЧ приемных устройств". Москва. Издательство Связь, 1971

143502 МО, г.Истра-2, ул. Заводская, 43А. Тел. (49631) 4-66-21. E-mail: toroid2011@mail.ru