Петухов В. М., Таптыгин В. И., Хрулев А. К.
Транзисторы полевые
ЭЛЕМЕНТЫ РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ
Выпуск 37
МОСКВА
«СОВЕТСКОЕ РАДИО»
1978
Редакционная коллегия серии брошюр ЭРА:
Балашов В. П. (отв. редактор), Бацев В.И., Бергельсон И. Г., Девятков Н. Д., Девяткин И. И., Котиков В. И., Кондратенков В. М., Кукарин С. В.,Криксунова Г. В., Сретенский В. Н. (зам. отв. редактора), Сергиенко СМ., Темкин С.Е., Усольцев И.Ф., Чернышев А. А., Широков Ю. Ф. (зам. отв. редактора), Якимов О. П., Якубовский С. В,
Приводятся принцип действия и основные параметры полевых транзисторов, излагаются рекомендации по их применению.
Брошюра рассчитана на широкий круг читателей, связанных с применением и эксплуатацией полевых приборов в радиоэлектронной аппаратуре,
Петухов В. М. и др. Транзисторы полевые. В.М. Петухов, В. И. Таптыгин, А. К. Хрулев. — Москва, издательство Советское радио, 1978. 64 с. (Серия - Элементы радиоэлектронной аппаратуры).
Издательство «Советское радио», 1978 г.
Содержание книги
Транзисторы полевые
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
I. Принцип действия, вольт-амперные характеристики, структуры и конструкции полевых транзисторов
Транзисторы с управляющим р-n-переходом
Транзисторы с барьером Шоттки
Транзисторы с изолированным затвором
Другие конструктивные варианты полевых приборов
II. Электрические параметры полевых транзисторов и эквивалентные схемы замещения
III. Эксплуатационные характеристики полевых транзисторов
IV. Применение полевых транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре
Аналоговые переключатели
Усилители постоянного тока
Полевой транзистор в режиме управляемого напряжением резистора
Усилители переменных сигналов
Усилители мощности
Преобразователи частот
Устройства СВЧ диапазона
V Правила применения полевых транзисторов
VI. Приборы для измерения электрических параметров полевых транзисторов
Список литературы
Введение
Дискретные полевые транзисторы и интегральные схемы, использующие полевые структуры в качестве активных элементов, за последнее десятилетие нашли широкое применение в радиоэлектронной аппаратуре.
В 1952 г. В. Шокли дал теоретическое описание активного прибора нового типа, названого им униполярным полевым транзистором. Управление током в приборе осуществлялось за счет изменения проводимости рабочей области (канала) в полупроводнике под действием напряжения, приложенного к обратно смещенному управляющему р-n-переходу, граничащему с областью канала. В дальнейшем эти приборы получили название полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом.
В I960 г. М. Аталла и Д. Канг предложили использовать структуру металл - окисел - полупроводник в качестве основы для создания МОП-транзистора, в котором проводимость поверхностного канала в полупроводнике изменялась под действием напряжения, приложенного к металлическому электроду, изолированному от полупроводника тонким слоем окисла.
Интерес к полевым транзисторам объясняется рядом их свойств, отсутствующих у биполярных транзисторов: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, малый уровень шумов, квадратичность проходной вольт-амперной характеристики, почти полное разделение выходного сигнала от входного, обусловленность рабочего тока только основными носителями заряда.
Совокупность указанных свойств полевых приборов позволяет упростить схемы, уменьшить габариты и массу устройств, а также улучшить некоторые технические характеристики по сравнению с устройствами на биполярных транзисторах. Так, например, благодаря применению полевых приборов в связной и радиовещательной аппаратуре можно полностью исключить из схем электронные лампы, повысить линейность характеристик, расширить динамический диапазон, улучшить избирательность и параметры систем АРУ, перейти к схемам потенциальной электроники.
С шестидесятых годов в радиоэлектронную аппаратуру происходит широкое внедрение интегральных схем. Однако, когда требуются малые входные токи утечки, малые входные шумы и интермодуляционные искажения, высокие выходные мощности, высокая частота генерации, точная стабилизация напряжения, возможность переключения больших токов и т. д., целесообразно использовать дискретные приборы. В связи с этим разработки дискретных приборов в настоящее время в основном направлены на создание приборов с уникальными параметрами.
Основными направлениями разработок полевых транзисторов как дискретных приборов являются сверхвысокочастотные усилительные и генераторные приборы на кремнии и арсениде галлия, мощные и широкополосные мощные приборы с большой крутизной характеристики и большим динамическим диапазоном, малошумящие инфранизкочастотные приборы, приборы для ключевых схем с малым временем переключения, сдвоенные приборы различного функционального назначения.
В данной брошюре приведены основные сведения о принципах действия, параметрах, эксплуатационных характеристиках и особенностях применения отечественных полевых транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре. Брошюра будет полезна для широкого круга читателей, работающих в области производства и эксплуатации аппаратуры.
Авторы выражают признательность рецензенту брошюры канд. техн. наук О. В. Сопову за внимательный просмотр рукописи и полезные замечания.
Скачать книгу "Транзисторы полевые". Москва, Издательство "Советское радио", 1978
|
